GaSe படிகங்கள்
GaSe படிகத்தைப் பயன்படுத்தி, வெளியீட்டு அலைநீளம் 58.2 µm முதல் 3540 µm வரை (172 cm-1 முதல் 2.82 cm-1 வரை) 209 W ஐ எட்டியது 209 W முதல் 389 W வரை.
ZnGeP2 படிகங்கள்
மறுபுறம், ஒரு ZnGeP2 படிகத்தில் உள்ள DFG ஐ அடிப்படையாகக் கொண்டு, வெளியீட்டு அலைநீளம் முறையே 83.1–1642 µm மற்றும் 80.2–1416 µm வரம்புகளில் இரண்டு கட்டப் பொருத்த அமைப்புகளுக்கு டியூன் செய்யப்பட்டது. வெளியீட்டு சக்தி 134 W ஐ எட்டியுள்ளது.
GaP படிகங்கள்
GaP படிகத்தைப் பயன்படுத்தி வெளியீட்டு அலைநீளம் 71.1−2830 µm வரம்பில் டியூன் செய்யப்பட்டது, அதேசமயம் அதிகபட்ச உச்ச சக்தி 15.6 W. GaSe மற்றும் ZnGeP2 மீது GaP ஐப் பயன்படுத்துவதன் நன்மை வெளிப்படையானது: அலைநீளத்தை அடைவதற்கு படிகச் சுழற்சி தேவைப்படாது. , 15.3 nm போன்ற குறுகிய அலைவரிசைக்குள் ஒரு கலவை கற்றையின் அலைநீளத்தை டியூன் செய்ய வேண்டும்.
சுருக்கமாக
0.1% மாற்றும் திறனானது, பம்ப் மூலங்களாக வணிகரீதியாகக் கிடைக்கும் லேசர் அமைப்பைப் பயன்படுத்தும் டேப்லொப் சிஸ்டத்திற்கு இதுவரை எட்டப்படாத அதிகபட்சமாகும். GaSe THz மூலத்துடன் போட்டியிடக்கூடிய ஒரே THz மூலமானது ஒரு இலவச-எலக்ட்ரான் லேசர் ஆகும், இது மிகவும் பருமனானது. மற்றும் ஒரு பெரிய மின்சாரம் பயன்படுத்துகிறது.மேலும், இந்த THz மூலங்களின் வெளியீட்டு அலைநீளங்கள், குவாண்டம் கேஸ்கேட் லேசர்கள் போலல்லாமல், மிகவும் பரந்த வரம்புகளில் டியூன் செய்யப்படலாம், இவை ஒவ்வொன்றும் ஒரு நிலையான அலைநீளத்தை மட்டுமே உருவாக்க முடியும். எனவே, பரவலாகச் சரிசெய்யக்கூடிய ஒரே வண்ணமுடைய THz மூலங்களைப் பயன்படுத்தி உணரக்கூடிய சில பயன்பாடுகள் இருக்காது. அதற்கு பதிலாக சப்பிகோசெகண்ட் THz பருப்பு வகைகள் அல்லது குவாண்டம் கேஸ்கேட் லேசர்களை நம்பினால் சாத்தியமாகும்.
