இங்கே, Nd:YAG வெளிப்படையான மட்பாண்டங்களின் குறைப்பு இழப்பு விளைவு மற்றும் லேசர் செயல்திறன் மேம்பாடு ஆகியவை ஆராயப்பட்டன.3 மிமீ விட்டம் மற்றும் 65 மிமீ நீளம் கொண்ட 0.6 at.% Nd:YAG பீங்கான் கம்பியைப் பயன்படுத்தி,1064 nm இல் சிதறல் குணகம் மற்றும் உறிஞ்சுதல் குணகம் முறையே 0.0001 cm-1 மற்றும் 0.0017 cm-1 என அளவிடப்பட்டது.808 nm பக்க-பம்ப் செய்யப்பட்ட லேசர் பரிசோதனைக்கு, 26.4% ஆப்டிகல்-டு-ஆப்டிகல் மாற்றும் திறனுடன் 44.9 W இன் சராசரி வெளியீட்டு சக்தி அடையப்பட்டது, இது 1 at.% ஒற்றை படிகத்துடன் கிட்டத்தட்ட ஒரே மாதிரியாக இருந்தது.885 nm டைரக்ட் எண்ட்-பம்ப் செய்யப்பட்ட திட்டத்தை ஏற்றுக்கொண்டது, பின்வரும் லேசர் சோதனைகள் 62.5% இன் உயர் ஒளியியல் திறன் மற்றும் 144.8 W இன் அதிகபட்ச வெளியீட்டு சக்தி 231.5 W இன் உறிஞ்சப்பட்ட பம்ப் சக்தியில் பெறப்பட்டது நம் அறிவுக்கு Nd:YAG செராமிக் லேசர்.உயர் ஒளியியல் தரமான Nd:YAG செராமிக் ராட் மற்றும் 885 nm நேரடி பம்ப் தொழில்நுட்பம் மூலம் அதிக ஆற்றல் மற்றும் அதிக திறன் கொண்ட லேசர் வெளியீட்டை உருவாக்க முடியும் என்பதை இது நிரூபிக்கிறது.
1.064 µm லேசர் மூலம் பம்ப் செய்யப்பட்ட BaGa4Se7 (BGSe) படிக ஆப்டிகல் பாராமெட்ரிக் ஆஸிலேட்டரை (OPO) அடிப்படையாகக் கொண்ட உயர் துடிப்பு ஆற்றல், குறுகிய கோடு அகலம், நடு அகச்சிவப்பு (MIR) லேசராட் 6.45 µm ஆகியவற்றை இந்தத் தாள் வழங்குகிறது.6.45 µm இல் அதிகபட்ச துடிப்பு ஆற்றல் 1.23 mJ வரை இருந்தது, துடிப்பு அகலம் 24.3 ns மற்றும் 10 ஹெர்ட்ஸ் மறுநிகழ்வு வீதம், பம்ப் லைட் 1.064 µm இலிருந்து 6.45 ஐட்லர் லைட் வரை 2.1% ஆப்டிகல்-ஆப்டிகல் மாற்றும் திறனுடன் தொடர்புடையது.ஐட்லர் லைட் லைன்வித்த் சுமார் 6.8 nm ஆக இருந்தது.இதற்கிடையில், 1.064 µm லேசரால் பம்ப் செய்யப்பட்ட BGSe கிரிஸ்டலில் OPO கட்டம்-பொருந்தும் நிலையைத் துல்லியமாகக் கணக்கிட்டோம், மேலும் 6.45 இல் உள்ளீடு-வெளியீட்டுத் தன்மைகளை பகுப்பாய்வு செய்ய எண்ணியல் உருவகப்படுத்துதல் அமைப்பு செய்யப்பட்டது. மாற்றும் திறனில் படிக நீளத்தின் விளைவு.அளவீடு மற்றும் உருவகப்படுத்துதலுக்கு இடையே நல்ல உடன்பாடு காணப்பட்டது.எங்கள் அறிவின் மிகச்சிறந்த வகையில், இது 6.45 µm இல் உள்ள மிக உயர்ந்த துடிப்பு ஆற்றலாகும், BGSe-OPO இல் உள்ள அனைத்து திட-நிலை MIR ns லேசருக்கும் மிகக் குறுகிய லைன்வித்த்துடன் எளிய 1.064 µm ஆஸிலேட்டரால் பம்ப் செய்யப்படுகிறது.இந்த எளிய மற்றும் கச்சிதமான 6.45 µm OPO அமைப்பு, அதிக துடிப்பு ஆற்றல் மற்றும் குறுகிய வரி அகலத்துடன், திசு வெட்டுவதற்கான தேவைகளை பூர்த்தி செய்து திசு நீக்கம் துல்லியத்தை மேம்படுத்துகிறது.
இந்தத் தாளில், க்யூ-ஸ்விட்ச் லேசர்களில் துடிப்பு காலத்தின் ஆதாயச் சார்பை அடக்கும் லாங்காசைட் (எல்ஜிஎஸ்) எலக்ட்ரோ-ஆப்டிக் ஹோ:YAG கேவிட்டி-டம்ப்ட் லேசரை நாங்கள் விளக்குகிறோம்.7.2 ns இன் நிலையான துடிப்பு காலம் 100 kHz மீண்டும் மீண்டும் விகிதத்தில் அடையப்பட்டது.LGS படிகத்தின் நன்மைகள் குறிப்பிடத்தக்க தலைகீழ் பைசோ எலக்ட்ரிக் ரிங் விளைவு மற்றும் வெப்பத்தால் தூண்டப்பட்ட டிப்போலரைசேஷன் ஆகியவற்றைக் கொண்டிருக்கவில்லை, ஒரு நிலையான துடிப்பு ரயில் 43 W இன் வெளியீட்டு சக்தியில் அடையப்பட்டது. முதல் முறையாக, குழி-டம்ப் செய்யப்பட்ட லேசரின் நடுப்பகுதி அகச்சிவப்பு (நடு- IR) ZnGeP2 (ZGP) ஆப்டிகல் பாராமெட்ரிக் ஆஸிலேட்டர் (OPO) உணரப்பட்டது, உயர்-பவர் மிட்-இன்ஃப்ராரெட் ZGP OPOக்களுக்கு அதிக ரிப்பீட் விகிதங்கள் மற்றும் குறுகிய நானோ நொடி துடிப்பு நேரங்களை அடைய நம்பகமான வழியை வழங்குகிறது.சராசரி வெளியீட்டு சக்தி 15 W ஆகும், இது துடிப்பு கால அளவு 4.9 ns மற்றும் 100 kHz மீண்டும் மீண்டும் செய்யும் வீதத்துடன் தொடர்புடையது.
BGSe நேரியல் அல்லாத படிகத்தைப் பயன்படுத்தி ஆக்டேவ்-ஸ்பானிங் மிட்-இன்ஃப்ராரெட் தலைமுறையை நாங்கள் முதன்முறையாக நிரூபிக்கிறோம்.2.4 µm மைய அலைநீளத்தில் 28-fs பருப்புகளை வழங்கும் ஒரு Cr:ZnS லேசர் அமைப்பு பம்ப் மூலமாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, இது BGSe படிகத்திற்குள் உள்-துடிப்பு வேறுபாடு அதிர்வெண் உருவாக்கத்தை இயக்குகிறது.இதன் விளைவாக, 6 முதல் 18 µm வரை பரவியுள்ள ஒரு ஒத்திசைவான அகச்சிவப்பு தொடர்ச்சி பெறப்பட்டது.BGSe படிகமானது பிராட்பேண்ட், ஃபெம்டோசெகண்ட் பம்ப் மூலங்களுடன் அதிர்வெண் கீழே மாற்றத்தின் மூலம் சில சுழற்சி நடு அகச்சிவப்பு தலைமுறைக்கான ஒரு நம்பிக்கைக்குரிய பொருள் என்பதை இது காட்டுகிறது.
1.53 W ஆல்-சாலிட்-ஸ்டேட் நானோசெகண்ட் துடிப்புள்ள நடு அகச்சிவப்பு லேசர் 6.45 µm
