நேரியல் அல்லாத படிகங்கள்

கிடைமட்ட மற்றும் செங்குத்து, இந்த பொருட்கள் (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) உள்ளிட்ட வளர்ச்சி முறைகள் கொடுக்கப்பட்ட நிலையான அளவுகள் மற்றும் நோக்குநிலைகளுடன் கிடைக்கின்றன.அவற்றில் சில, நாங்கள் வழங்கிய பெரிய நேரியல் அல்லாத குணகம் மற்றும் தனித்துவமான பரிமாணங்கள் வழக்கமான SHG, THG மற்றும் மத்திய அகச்சிவப்பு OPO, OPA அமைப்புகள் போன்றவற்றில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. தயாரிப்புகள் Anodized Aluminium ஹோல்டருடன் அல்லது இல்லாமல் வழங்கப்படலாம்.

KTP கிரிஸ்டல்

பொட்டாசியம் டைட்டானைல் ஆர்சனேட் (KTiOAsO4), அல்லது KTA படிகமானது, ஆப்டிகல் பாராமெட்ரிக் அலைவு (OPO) பயன்பாட்டிற்கான சிறந்த நேரியல் அல்லாத ஒளியியல் படிகமாகும்.இது சிறந்த நேரியல் அல்லாத ஆப்டிகல் மற்றும் எலக்ட்ரோ-ஆப்டிகல் குணகங்களைக் கொண்டுள்ளது, 2.0-5.0 µm பகுதியில் உறிஞ்சுதல் கணிசமாகக் குறைக்கப்பட்டது, பரந்த கோண மற்றும் வெப்பநிலை அலைவரிசை, குறைந்த மின்கடத்தா மாறிலிகள்.
ZnTe கிரிஸ்டல்

துத்தநாக டெல்லூரைடு என்பது ZnTe சூத்திரத்துடன் கூடிய பைனரி வேதியியல் கலவை ஆகும்.DIEN TECH ஆனது ZnTe படிகத்தை படிக அச்சுடன் <110> உருவாக்குகிறது, இது சப்பிகோசெகண்டின் உயர்-தீவிர ஒளித் துடிப்பைப் பயன்படுத்தி ஆப்டிகல் ரெக்டிஃபிகேஷன் எனப்படும் நேரியல் அல்லாத ஒளியியல் செயல்முறையின் மூலம் டெராஹெர்ட்ஸ் அதிர்வெண்ணின் துடிப்புக்கு உத்தரவாதம் அளிக்கப் பயன்படுத்தப்படும் ஒரு சிறந்த பொருளாகும்.DIEN TECH வழங்கும் ZnTe கூறுகள் இரட்டைக் குறைபாடுகளிலிருந்து விடுபடுகின்றன.
PPKTP சிஸ்டல்கள்

அவ்வப்போது துருவப்பட்ட பொட்டாசியம் டைட்டானைல் பாஸ்பேட் (PPKTP) என்பது ஃபெரோஎலக்ட்ரிக் அல்லாத நேரியல் படிகமாகும், இது ஒரு தனித்துவமான கட்டமைப்பைக் கொண்டுள்ளது, இது அரை-கட்ட-பொருத்தம் (QPM) மூலம் திறமையான அதிர்வெண் மாற்றத்தை எளிதாக்குகிறது.
HgGa2S4 கிரிஸ்டல்

லேசர் சேத வரம்பு மற்றும் மாற்றும் திறன் ஆகியவற்றின் உயர் மதிப்புகள் மெர்குரி தியோகலேட் HgGa ஐப் பயன்படுத்த அனுமதிக்கின்றன₂S₄(HGS) அதிர்வெண் இரட்டிப்புக்கான நேரியல் அல்லாத படிகங்கள் மற்றும் OPO/OPA அலைநீள வரம்பில் 1.0 முதல் 10 μm வரை.CO இன் SHG செயல்திறன் என்று நிறுவப்பட்டது₂4 மிமீ நீளம் HgGa க்கான லேசர் கதிர்வீச்சு₂S₄உறுப்பு சுமார் 10 % (துடிப்பு காலம் 30 ns, கதிர்வீச்சு ஆற்றல் அடர்த்தி 60 MW/cm²)உயர் மாற்றும் திறன் மற்றும் பரவலான கதிர்வீச்சு அலைநீள ட்யூனிங் இந்த பொருள் AgGaS உடன் போட்டியிடும் என்று எதிர்பார்க்க அனுமதிக்கிறது.₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂மற்றும் GaSe படிகங்கள் பெரிய அளவு படிகங்கள் வளர்ச்சி செயல்முறை கணிசமான சிரமம் இருந்தபோதிலும்.